唁 电

 
梁春广院士治丧委员会、中国电子科技集团公司：
　　惊悉梁春广院士不幸逝世，我们深感悲痛。梁春广院士是我国著名半导体物理与器件专家，为我国锗高频管、硅MOSFET、GaAsFET、砷化镓超高速电路、电子器件、光电子器件及光电集成技术的发展作出了突出贡献。梁春广院士的逝世是我国科技界的重大损失。
　　我谨代表中国工程院，向你们并通过你们向梁春广院士的家属表示沉痛哀悼和亲切慰问。
　　梁春广院士永垂不朽!

全国政协副主席
中国工程院院长
徐匡迪

二○○三年五月二十八日

 

 

梁春广同志生平

 

　　中国共产党的优秀党员、党的好干部、中国程院院士、卓越的半导体专家、中国电子科技集团公司第十三研究所党委委员、原副所长、博士生导师梁春广同志因病医治无效，于2003年5月27日17时30分，不幸在石家庄逝世，享年65岁。
　　梁春广同志于1939年2月出生于广东省梅县城南乡圣人寨一个知识分子家庭。从小受到良好的家庭教育，在党的培养教育下，他以优异的成绩于1961年7月毕业于中山大学半导体物理专业，同年10月参加工作，分配来十三所。参加工作四十多年来，历任十三所第一研究室技术员、课题组长、第一研究室主任、教授级高级工程师，十三所副总工程师、副所长、科技委主任，原电子工业部科技委委员。1986年6月至1987年12月曾作为高级访问学者赴德国赫兹通信研究所(HHI)任客座研究员，研制成功“分子束外延配超晶格调制掺杂场效应器件”。1989年起任国家863计划光电子主题第二、三届专家组成员，第四届专家组组长；国家自然科学基金委半导体学科评审组第三、四届成员，第五届副组长，光电子学科第七、八届成员；国家自然科学奖信息学科评委；微电子专家组成员、顾问，微米/纳米专家组成员、顾问；北大微米/纳米国防科技重点实验室学术委员会主任；13所GaAs专用电路国防科技重点实验室学术委员会主任等职。1991年享受政府特殊津贴，1992年评为国家有突出贡献中青年专家，1995年当选中国工程院院士，1997年获电子工业部电子杰出人才(荣誉)奖，2001年荣获“国家八六三计划重要贡献奖”，1997年当选为中国共产党第十五次全国代表大会代表，光荣地出席了党的十五大。2002年荣获第九届何梁何利基金奖及河北省院士特殊贡献二等奖。
　　梁春广同志自青年时期，立志献身电子科研事业。在四十多年的科研生涯中，他无私奉献，奋力拼搏，潜心钻研，严谨治学，弘扬“两弹一星”精神，自觉践行“三个代表”重要思想，为我国半导体微电子、光电子事业的振兴和发展，屡建功勋，硕果累累。1961年至1964年，他参与研制的锗高频台式晶体管，为国家电台提供了关键器件；1965年至1970年研制成功Si MOSFET,作为主要参加者荣获全国科学大会奖；自1970年开始，他作为主要负责人研制成功国内第一代GaAs FET，填补了我国化合物半导体器件研制领域的空白，为国家重点工程建设做出了突出贡献，1985年获国家科技进步一等奖，作为第一获奖人光荣地出席了1986年在人民大会堂举行的授奖大会。之后，他于1986年—1987年在德国赫兹通信技术研究所(HHI)取得骄人的研究成果，受到该所的表扬。回国后，精心规划和组织领导了我所承担的国家“八五”攻关的一系列重大课题，为我国新型微波和毫米波器件及其IC的研制发挥了重要作用。同时，他作为国家863—307主题专家组首席专家，促进了我国光电子技术的发展。多年来，他十分注重人才培养，作为十三所硕士、博士生导师及清华大学等著名高校兼职教授，精心培养了多名硕士、博士，并著述颇丰，发表了近百篇学术论文及专著，赢得了国内外同行的高度赞誉。最近，他依然为国家微电子和光电子科研发展和高层次科技人才培养呕心沥血，在病情恶化，身体不支的情况下，还关心着十三所的改革与技术进步和国家半导体事业的发展，充分显示了一位杰出科技工作者的高风亮节。
　　梁春广同志的一生，是光辉的一生，战斗的一生，是为我国半导体事业拼搏奋进、无私奉献的一生。他的逝世，是我所的重大损失，也是我国半导体事业的损失。我们要化悲痛为力量，学习他热爱党、热爱人民、热爱科学技术事业，对党和人民无限忠诚的共产主义信念；学习他胸怀大志，不畏艰险，敢于攀登，献身科学研究事业的精神；学习他谦虚谨慎，密切联系群众，严于律己，廉洁自律的优秀品质；学习他治学严谨，为人师表，勤勉敬业，诲人不倦的高尚风范。梁春广同志堪称广大科技人员的楷模。让我们在以胡锦涛同志为总书记的党中央的领导下，高举邓小平理论伟大旗帜，认真贯彻“三个代表”重要思想，为全面建设小康社会，为促进我国半导体事业的发展，为把国防电子技术推向更高水平，团结起来，共同奋斗。
　　梁春广同志永远活在我们心中!

 

 

中共中国电子科技集团公司第十三研究所委员会
中国电子科技集团公司第十三研究所
二○○三年五月二十七日