梁春广（1939.02.01-2003.05.27）半导体器件专家。广东省梅县人。1961年毕业于中山大学。60年代在锗高频管和硅MOSFET研制中作出贡献，做为参加者荣获全国科学大会奖。70年代作为主要负责人研制成功我国第一代GaAs FET，在全面的器件参数、结构和工艺设计，解决亚微米删制作难题等方面作出突出贡献，获1985年国家科技进步奖一等奖。1986～1987年在德国研制“分子束外延超晶格场效应器件”，提出了最佳材料和器件结构及非合金欧姆接触法等。1988年至今一直承担领导砷化镓超高速电路、电子电子器件、光电子器件及光电集成等多项国家重点科技项目，并荣获国家科技进步奖。

    1995年当选为中国工程院院士。